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宽禁带半导体是近年来飞速发展的一个重要新兴领域，日本的产学研界同仁做出了很多先导性的研发投入。本书总结了日本产学研界在相关领域近年来的一些技术积累，并且在许多具体的环节和方面，对未来的发展做出展望。我国也在投入大量资源，迅速赶超和接近世界先进水平。但是在SiC/GaN封装方面，起步较晚，还有一定差距。我认为本书的译介对于我国宽禁带（国内也称为第三代）半导体产业的发展有积极意义，适合相关的器件设计、工艺设备、应用、产业规划和投资领域人士阅读。——叶甜春研究员博士生导师中国科学院大学微电子学院院长日本、美国和欧洲都已启动了大规模的碳化硅（SiC)和氮化镓（GaN)等宽禁带功率半导体项目，作为节能技术王牌。毋庸置疑，封装是电子器件制造的最后挑战。在功率半导体的封装中，除了充分实现器件的性能外，还必须进行设计以实现其他领域未有的器件安全与可靠性。如果本书对于试图从制造上提高功率半导体的可靠性或面临新挑战的技术人员能有所裨益，作为作者将深感欣慰。——菅沼克昭大阪大学产业科学研究所

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